內存時序是一組參數(shù)，共同決定了內存的響應速度。理解這些參數(shù)有助于優(yōu)化系統(tǒng)性能。

一、時序參數(shù)含義

CL(CAS延遲)：從列地址選通到數(shù)據(jù)開始輸出的周期數(shù)，最關鍵

tRCD(RAS to CAS Delay)：從行到列地址選通的延遲

tRP(RAS Precharge)：行預充電時間

tRAS(Row Active Time)：行激活到預充電的最小時間

二、典型時序組合

普通：CL11-11-11-28

主流：CL9-9-9-24

優(yōu)質：CL7-7-7-20

旗艦：CL6-6-6-18(較少見)

三、時序對性能的影響

CL最主要影響隨機延遲，tRCD影響訪問新行的速度。游戲和日常應用對CL和tRCD最敏感。

四、調優(yōu)建議

優(yōu)先降低CL值

其次降低tRCD和tRP

tRAS建議設為tCL + tRCD + 2(最小值)

需配合電壓和頻率調整