DDR3是第三代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器，在DDR2基礎上進行了多項重要改進。

一、速度與帶寬提升

DDR2內存頻率通常為400-1066MHz，DDR3起步頻率為800MHz，最高可達2133MHz。DDR3的帶寬是DDR2的兩倍左右，以DDR3 1600MHz為例，理論帶寬約12.8GB/s，而DDR2 800MHz僅6.4GB/s。

二、功耗與電壓變化

DDR3工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，低電壓版DDR3L可達1.35V，功耗降低約20%-30%。更低的電壓意味著更少的熱量產生，適合筆記本電腦和緊湊設備。

三、架構改進

DDR3引入了8n預取架構(DDR2為4n)，提高了內部數據總線效率。同時增加了動態ODT(片上終端)和fly-by拓撲結構，提升了信號完整性。

四、物理兼容性

DDR3與DDR2物理接口不同，針腳數為240針(與DDR2相同但缺口位置不同)，不能混插。需要搭配DDR3主板(Intel LGA1156/1155/1150/2011、AMD AM3/AM3+/FM2/FM2+等)。