可工作在1.5V(正常)和1.35V(低電壓)，傳輸速度高達(dá)1866 MT/s, ATP DDR3內(nèi)存模塊可提供更好的性能，同時(shí)功耗明顯低于DDR2內(nèi)存。

ATP DDR3內(nèi)存模塊支持英特爾? Core? i7系列處理器,AMD AM3 Phenom?處理器，以及AMD最新的嵌入式企業(yè)級(jí)芯片組。DDR3內(nèi)存模塊與前一代內(nèi)存模塊不兼容，連接器上對(duì)齊缺口的設(shè)計(jì)可防止它們插入不兼容的插槽。

ATP提供各種外形的DDR3 內(nèi)存模塊，包括SO-DIMM、Mini-DIMM、窄板型（LP）、VLP（Very Low Profile）和ULP（Ultra Low Profile）外形。

除了標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外，ATP的DDR3產(chǎn)品線還提供額外的可靠性選項(xiàng)，如防塵、防化學(xué)物質(zhì)、抗極端溫度和腐蝕的保形涂層；大于30μ”厚度的金手指鍍金層，已確保更好的耐用性和信號(hào)傳輸質(zhì)量。