系列名稱(chēng)

D2200

標(biāo)準(zhǔn)和接口

PCIe第5.0代/ NVMe第2.0b代，x4通道

包裹

2.5”

SFF-8639 U.2

外形尺寸(長(zhǎng)x寬x高)

閃躍型

3D NAND eTLC

密度范圍

7.68 TB、15.4 TB、30.7 TB

耐力[DWPD]
企業(yè)工作負(fù)載

1.5 5年

工作溫度

0攝氏度至+70攝氏度

儲(chǔ)存溫度

-40攝氏度至+85攝氏度

持續(xù)性能

順序讀取

順序?qū)懭?/trans>

隨機(jī)讀取

隨機(jī)寫(xiě)入

高達(dá)14，000 MB/秒

高達(dá)10，000 MB/秒

高達(dá)2600基奧普

高達(dá)510千歐

電壓

VCC: 12伏(-20%，+10%)

平均功率
混合研發(fā)/研發(fā)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

DDR4 DRAM

故障平均間隔時(shí)間

超過(guò)200萬(wàn)小時(shí)

數(shù)據(jù)可靠性

< 1 sector per 10^17 bits

電源安全?  功能
完整的數(shù)據(jù)路徑保護(hù)
南馬丁·路德·金
靈活的電源管理
熱插拔
整齊
最多支持128個(gè)多命名空間
AES-XTS 256數(shù)據(jù)加密和加密擦除
EUI64/NGUID
支持NVMe-米1.2b，支持
SMBus上的MCTP
無(wú)需重置的固件升級(jí)
時(shí)間戳
遙感勘測(cè)
加權(quán)循環(huán)賽(WRR)
持久事件日志
安全下載
安全啟動(dòng)